中芯国际：第二代 FinFET 已进入小量试产

IT之家 12 月 4 日消息 今天，中芯国际在互动平台上回答投资者时表示，第二代FinFET 已进入小量试产。

在回答投资者 “近来公司 7 纳米产品生产研发进展如何？”的问题时，中芯国际表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于 2019 年四季度进入量产，第二代 FinFET 已进入小量试产。

IT之家了解到，中芯国际于 2019 年实现了国内最先进的 14nm 工艺制程量产，并已为华为麒麟 710A 芯片等进行代工。

今年9月份，投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息，中芯国际回答表示：中芯国际第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年底进行小批量试产。

今年10月份， 中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）宣布已完成全球首个基于中芯国际 FinFET  N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。关于N+1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露，该工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。其曾表示，中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市场基准性能提升应该是35%。